BSS127SSN-7
Número de Producto del Fabricante:

BSS127SSN-7

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

BSS127SSN-7-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 50mA (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

6785 Pcs Nuevos Originales En Stock
12946666
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

BSS127SSN-7 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.08 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
21.8 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
610mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS127

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS127SSN-7DITR
BSS127SSN-7DICT
BSS127SSN-7DIDKR
BSS127SSN7

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
national-semiconductor

CSD18503KCS

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE

fairchild-semiconductor

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1